| Функциональное назначение | гнезда на кабель |
| Серия | BLS |
| Количество рядов | 1 |
| Количество контактов в ряду | 12 |
| Шаг контактов,мм | 2.54 |
| Форма контактов | прямые |
| Материал изолятора | полимер усиленный стекловолокном |
| Сопротивление изолятора не менее,МОм | 500 |
| Материал контактов | фосфористая бронза |
| Покрытие контактов | золото |
| Сопротивление контактов не более,Ом | 0.01 |
| Рабочий ток,А | 1 |
| Рабочее напряжение,В | 500 |
| Предельное напряжение не менее,В | 1500 В перем.тока в течение 1 мин. |
| Способ монтажа | пайка в отверстия на кабеле |
| Рабочая температура,°С | -25…105 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
|
1 630
|
13.32
|
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
223
|
7.42
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONS
|
298
|
7.96
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
CKX3-3.5-09 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 849
|
16.96
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
13.20
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
4 307
|
14.51
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
2500
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4810
|
|
|
|
|
|
|
PB22E07 С ФИКСАЦИЕЙ 7X7X12 MM |
|
|
|
2
|
5.13
|
|