|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 900mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
| Корпус | LSTM |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SA1315 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SA1315 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SA1315 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz |
|
53.52 | ||
|
|
|
2SA1315 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz | КИТАЙ |
|
|