|   | 
 Версия для печати
Версия для печати
                        
                        
                    
                                | Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Transistor Type | NPN | 
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A | 
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V | 
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A | 
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V | 
| Power - Max | 900mW | 
| Frequency - Transition | 100MHz | 
| Тип монтажа | Выводной | 
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Long Body), TO-226 | 
| Корпус | LSTM | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   |   | 2SA1315 |   | Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz | TOSHIBA |   |   | |
|   |   | 2SA1315 |   | Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz | TOS |   |   | |
|   |   | 2SA1315 |   | Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz |   | 53.52 | ||
|   |   | 2SA1315 |   | Биполярный транзистор Si-P, 80V, 2A, 0,9W, 80MHz | КИТАЙ |   |   |