| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
|
BFR93A.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
|
|
10.84
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
NXP
|
230
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310LT1G |
|
|
|
|
26.00
|
|
|
|
|
MMBFJ310LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
81
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
MIT
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
|
|
331.04
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|