IRLBA3803P

Версия для печати

Технические характеристики IRLBA3803P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 71A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	179A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5000pF @ 25V
Power - Max	270W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Super-220™-3 (Straight Leads)
Корпус	SUPER-220™ (TO-273AA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLBA3803P (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLBA3803P datasheet
120.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AMS1117-3.3 (К1254ЕН3АП1) ТО126	ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	МИНСК
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	ALTERA	70	464.94
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...			600.00
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	ALT
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	ALTERA	324
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	4-7 НЕДЕЛЬ	346
LM5575MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5575MH		NSC
LM5575MH				488.72
LM5575MH		TEXAS INSTRUMENTS	4	323.28
LM5575MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5575MH		TEXAS
LM5575MH		4-7 НЕДЕЛЬ	650
VLP6045LT-101M		TDK
VLP6045LT-101M
VLP8040T-151M		TDK Corporation
VLP8040T-151M		TDK
VLP8040T-151M		КИТАЙ
VLP8040T-151M