IRF7421D1
N-канальный полевой транзистор с диодом Шоттки (Vds=30V, Id=5,8A@T=25C, Id=4,6A@T=70C, Rds=0.035 R , P=2.0W, -55 to +150C), Schottky Vf = 0.39V
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | FETKY™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
