|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 210MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
|
BC338 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC338-25
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
КТ660Б | ЗПП |
|
|
||||
|
|
КТ660Б | 80 | 11.72 | |||||
|
|
КТ660Б | МИНСК | 3 952 | 16.80 | ||||
|
|
КТ660Б | ЗПП МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ660Б | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
КТ660Б | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
||||
|
|
КТ660Б | RUS |
|
|