![]() |
|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 210MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
BC338 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC338-25
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
КТ660Б | ЗПП |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
КТ660Б | 80 | 11.72 | |||||
![]() |
КТ660Б | МИНСК | 4 000 | 16.80 | ||||
![]() |
КТ660Б | ЗПП МИНСК |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
КТ660Б | ИНТЕГРАЛ | 37 | 17.42 | ||||
![]() |
КТ660Б | ИНТЕГРАЛ-С |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
КТ660Б | RUS |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|