IRFH5301TR2


IRFH5301TR2 (заказ)
IRFH5301TR2

Технические характеристики IRFH5301TR2

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.85 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5114pF @ 15V
Power - Max3.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PQFN, 8-PowerQFN
КорпусPQFN (5x6) Single Die
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru