IRF8252
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5305pF @ 13V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | NXP |
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | 2 173 | 14.80 | ||
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | NXP |
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | PHILIPS | 179 |
|
|
| IRF8788 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF8788 |
|
|
||||||
| LM3421MH | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM3421MH |
|
681.60 | ||||||
| LM3421MH | NSC |
|
|
|||||
| LM3421MH | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM3421MH | 4-7 НЕДЕЛЬ | 251 |
|
