IN74ACT00N
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IN74ACT00 (Логические элементы) Quad 2-Input NAND Gate High-Speed Silicon-Gate CMOS Также в этом файле: IN74ACT00N
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... |
|
182.40 | ||
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 |
|
|
|
|
|
LMC555CN | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMC555CN | NSC |
|
|
||||
|
|
LMC555CN |
|
64.92 | |||||
|
|
LMC555CN | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMC555CN | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||||
|
|
LMC555CN | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LMC555CN | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LMC555CN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 34 |
|
