L/H SOH-DR3 С ПОЛНЫМ МЕХАНИЗМОМ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR3Y26A | SHARP |
|
|
|||||
 |
 |
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | 778 | 39.39 | ||
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | 1 |
|
|
|
| L/H SOH-DP10U | SAMSUNG |
|
|
|||||
| L/H SOH-DP10U |
|
1 725.60 | ||||||
| TEA1506T | NXP |
|
|
|||||
| TEA1506T | 1 | 234.36 | ||||||
| TEA1506T | 1 | 234.36 | ||||||
| TEA1506T | PHILIPS |
|
|
|||||
| TEA1506T | 1 |
|
|
|||||
| TEA1506T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 720 |
|
|||||
| TEA1506T/N1 | NXP |
|
|
|||||
| TEA1506T/N1 |
|
164.80 | ||||||
| TEA1506T/N1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 476 |
|
