RFD16N05LSM
Logic level, n-channel power mosfets
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 16A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Power - Max | 60W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
RFD16N05LSM (MOSFET) Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Производитель:
|
