| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
К1109КТ2 |
|
ULN2001A
|
|
16
|
64.26
|
|
|
|
К1109КТ2 |
|
ULN2001A
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
К1109КТ2 |
|
ULN2001A
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КР1401УД2А |
|
(LM324)
|
|
|
57.60
|
|
|
|
КР1401УД2А |
|
(LM324)
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КР1401УД2А |
|
(LM324)
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
КР1401УД2А |
|
(LM324)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
6 334
|
9.25
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
767
|
10.60
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
800
|
8.48
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
407
|
12.49
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
1021
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
|
994
|
10.12
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
224
|
24.80
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
2 721
|
12.08
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
28
|
10.72
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
3600
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
526
|
|
|
|