IRFP4004PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFP4004PBF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 195A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	195A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	330nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8920pF @ 25V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP4004PbF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP4004PBF datasheet
295.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	MURATA
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	MURATA
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В			33.32
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	Murata Electronics North America
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	MUR	12 161	6.67
SQP 3W 8.2 5%
SQP 3W 8.2 5%		КИТАЙ
SQP-15W1R (15ВТ,1 ,5%)
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		10 509	1.66 >100 шт. 0.83
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	352	1.98 >100 шт. 0.99
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	2 400	1.46 >100 шт. 0.73
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	JSMSEMI	35 827	1.20 >500 шт. 0.40
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	KEEN SIDE	25 040	1.38 >100 шт. 0.69
РП10-7 РОЗЕТКА			19 935	109.44
РП10-7 РОЗЕТКА		КОМ 5
РП10-7 РОЗЕТКА		СНЕЖЕТЬ
РП10-7 РОЗЕТКА		РОССИЯ