|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 195A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8920pF @ 25V |
| Power - Max | 380W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
|
IRFP4004PbF (MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR2108 |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IR2108 |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В |
|
473.76 | |||
|
|
IR2108 |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В | INFINEON |
|
|
||
|
|
IR2108 |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 120 |
|
||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
FAIR |
|
|
|||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
|
|
||||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
ONS-FAIR |
|
|
|||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
ONS |
|
|
|||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
KA5L0380RYDTU |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 590 |
|
|||
| SQP 3W 6.8 5% |
|
|
||||||
| SQP 3W 6.8 5% | КИТАЙ |
|
|
|||||
| SQP-10W24R (10ВТ,24 ,5%) |
|
|
||||||
| РП10-30 РОЗ. | 120 |
|