| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
C0805-0,1 МКФ-10% |
|
|
|
|
|
|
 |
|
CRCW12061K00FKEA |
|
Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061K00FKEA |
|
Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061K00FKEA |
|
Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061K00FKEA |
|
Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
|
|
|
|
|
|
|
 |
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
26
|
160.06
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
|
12
|
55.50
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
FULIHAO TECH
|
2 560
|
29.96
|
|
|
|
|
DS1307Z |
|
Микросхема реального врремени часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
523
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
15 068
|
8.27
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
12.95
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 593
|
3.08
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
58 031
|
3.79
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
19 583
|
2.02
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
1 933
|
12.88
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 228
|
13.14
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
6666
|
|
|
|
Версия для печати
