КТ825А

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ825А		103.68

B1-B2/Iк/А 430-60000/10
Fт, МГц 4
Cк/Uк, пф/В  700/10
Cэ/Uэ, пф/В  600/3
t, рнс  2.0( 5/0.02)
Uкэ/(Iк/Iб), В/(А/А)  100
Uкб, В 100/1к
Uкэ/RВ/Ом 5
UэбВ 20/40
Iкм/IкнА/А 0.5
IбмА 3/160 
B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока
Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
tр нс
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора