Версия для печати
Технические характеристики КП901А

Структура	N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	70
Максимальный ток стока Ic макс при 25С, мА	4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	20
Крутизна характеристики S,мА/В	100
Корпус	KT-42

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КД 514 А			RUS
		КД103Б		Диоды кремниевые, диффузионные.		612	16.65
		КД103Б		Диоды кремниевые, диффузионные.	ХЕРСОН
		КД103Б		Диоды кремниевые, диффузионные.	RUS
		КД103Б		Диоды кремниевые, диффузионные.	СЗТП
		КД103Б		Диоды кремниевые, диффузионные.	ДНЕПР
		КД103Б		Диоды кремниевые, диффузионные.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.			57.60
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	15 013	25.20
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	117.18
		КТ3126А				73 468	3.70
		КТ3126А			МИНСК	1 271	6.30
		КТ3126А			RUS
		КТ3126А			ИНТЕГРАЛ	1 332	10.96
		КТ3126А			ДАЛЕКС	424	4.13
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		166 519	5.55
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"