ГТ311Е
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| ГТ311Ж | 16 | 136.08 | ||||||
| ГТ311Ж | КВАЗАР |
|
|
|||||
| ГТ311И | 7 | 113.40 | ||||||
| К122УН1Г |
|
135.72 | ||||||
| К122УН1Г | РЕФЛЕКТОР |
|
|
|||||
 |
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | 139 | 30.24 | ||
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | ПЛАНЕТА | 124 | 10.50 | |
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | РОССИЯ |
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | МОСКВА |
|
|
