ГТ311Е
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| ГТ311Ж | 16 | 86.94 | ||||||
| ГТ311Ж | КВАЗАР |
|
|
|||||
 |
КС650А |
|
металл | 152 | 33.30 | |||
|
|
КС650А |
|
металл | НОВОСИБИРСК | 75 | 31.50 | ||
|
|
КС650А |
|
металл | СЗТП | 26 | 83.16 | ||
|
|
КС650А |
|
металл | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
||
 |
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | 159 | 12.95 | ||
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | ПЛАНЕТА | 149 | 10.50 | |
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | РОССИЯ |
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | МОСКВА |
|
|
|
| П416Б | 4 254 | 21.77 | ||||||
| П416Б | НАЛЬЧИК | 693 | 16.80 | |||||
| П416Б | НАЧАЛЬНИК |
|
|
