TEA1506T/N1
|
|
Версия для печати
| Корпус | 14-SO |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -20°C ~ 145°C |
| Мощность (Ватт) | 750mW |
| Напряжение выходное | 650V |
| Напряжение входное | 8.7 V ~ 20 V |
| Частотный диапозон | 25 ~ 175kHz |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Серия | GreenChip™ II |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR3Y26A | SHARP |
|
|
|||||
 |
 |
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | 1 340 | 39.39 | ||
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | 1 |
|
|
|
| L/H SOH-DP10U | SAMSUNG |
|
|
|||||
| L/H SOH-DP10U |
|
1 725.60 | ||||||
|
|
TA8277H | 3 | 540.54 | |||||
|
|
TA8277H | TOSHIBA |
|
|
||||
|
|
TA8277H | TOS |
|
|
||||
|
|
TA8277H | 1 |
|
|
||||
|
|
TA8277H | 4-7 НЕДЕЛЬ | 471 |
|
||||
| TEA1506T | NXP |
|
|
|||||
| TEA1506T | 1 | 234.36 | ||||||
| TEA1506T | 1 | 234.36 | ||||||
| TEA1506T | PHILIPS |
|
|
|||||
| TEA1506T | 1 |
|
|
|||||
| TEA1506T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 684 |
|
