|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К 553 УД1В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
|
42
|
59.20
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
СЗТП
|
8
|
196.56
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
3 900
|
25.76
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 908
|
31.50
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
|
800
|
34.02
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
|
53 326
|
7.56
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
372
|
1.09
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
НИИПП ТОМСК
|
168
|
8.27
|
|