| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
55 309
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
19 600
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
2 928
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
193
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-15K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 15кОм, 1%, 0.25Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-15K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 15кОм, 1%, 0.25Вт
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
MF-0.25-3.9K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-3.9K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
|
2.84
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
|
164
|
45.36
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ
|
34
|
28.89
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
31
|
46.85
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
230
|
75.60
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
30
|
96.09
|
|
Версия для печати
