|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
90 004
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
347 102
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
13
|
1.11
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
12 733
|
4.07
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
|
30 733
|
6.05
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
BM
|
916
|
40.87
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
NXU
|
136
|
18.60
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
KLS
|
8 000
|
14.46
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
КИТАЙ
|
75
|
10.33
|
|
|
|
DB-9F |
|
Розетка 9 pin на кабель (пайка)
|
RUICHI
|
7 976
|
9.53
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
BM
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NXU
|
1
|
6.20
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NLT
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
КИТАЙ
|
24
|
5.08
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|