| Мощность рассеяния,Вт | 0.34 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 12 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 13 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 11 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.11 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.25 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 23 |
| Рабочая температура,С | -45...85 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NXP
|
1 372
|
42.00
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
PHILIPS
|
80
|
59.34
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
|
2 618
|
16.39
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
PHILIPS
|
130
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
WEIDA
|
149
|
18.74
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
1682
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
|
|
65.24
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BT138-600 |
|
TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA
|
CHINA
|
27 040
|
14.54
|
|
|
|
КС407Б |
|
стекло
|
|
6 198
|
3.15
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
1 642
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
12.49
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 332
|
13.02
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
6666
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 0.125 ВТ 2.4 КОМ 5% |
|
|
|
5 600
|
1.09
|
|