2РМ22Б10Г1В1Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2РМ18Б7Ш1В1 |
|
33 | 1 808.00 | |||
|
|
|
2РМ18Б7Ш1В1 |
|
POL-SUN |
|
|
||
|
|
|
2РМ18Б7Ш1В1 |
|
RUS |
|
|
||
|
|
|
2РМ18Б7Ш1В1 |
|
РОССИЯ |
|
|
||
| КД522Б1 | САРАНСК |
|
|
|||||
| КД522Б1 |
|
|
||||||
| КД522Б1 |
|
|
||||||
 |
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 1 118 | 21.88 | ||
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 35.70 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 61 576 | 30.00 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | САРАНСК |
|
|
|
| С2-33Н-0,125-8,45 КОМ-1% | 4 384 | 5.28 | ||||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К | РЕЗИСТОР |
|
|
|||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К |
|
|
