| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINYA
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINLAIYA
|
|
|
|
 |
 |
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
23.20
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
68
|
|
|
|
|
|
АЛ307ЕМ ЖЕЛТ. |
|
Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
910
|
23.00
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 228
|
25.12
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 512
|
33.60
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
С2-33Н-0,125-8,2ОМ |
|
|
|
38
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
Версия для печати
