Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СВЕТОДИОДЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	2 700	1.78
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	11.34
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	2 970	3.42
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		6 524	1.10  >100 шт.   0.55
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	11.34
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.17
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE	7	1.46  >100 шт.   0.73
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	ATMEL	2 568	378.00
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...		2 400	296.00
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	США
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	ATMEL CORPORATION
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	ATMEL1
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	MICRO CHIP
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	NO NAME
		ATTINY2313-20PU		8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...	4-7 НЕДЕЛЬ	652
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	FAIR
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	FSC
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)			58.80
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	UTC
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	FAIRCHILD
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	FAIRCHILD
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	Fairchild Semiconductor
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	КОРЕЯ, НАРОДНО-
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	ONS-FAIR
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	ONS
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	ONSEMICONDUCTOR
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	HGSEMI
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	ISC	1 526	61.66
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	TEXAS
		LM7805CT		Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)	4-7 НЕДЕЛЬ	176
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс		948	92.50
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ТАШКЕНТ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ФОТОН	295	210.00
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	RUS
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	СЗТП
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	РОССИЯ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	49	1 009.26
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N			264.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	144	1 533.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"