SI4532DY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4532DY (SILICONIX.)	21	3-4 недели Цена по запросу
SI4532DY (4-7 НЕДЕЛЬ)	752	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4532DY

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.9A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N and P-Channel
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.9A, 3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 10V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	SO-8
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4532DY (Импульсные полевые канальные транзисторы)

Dual N- and P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

SI4532DY datasheet
323.28Kb
4стр.