IXTK250N10

Версия для печати

Технические характеристики IXTK250N10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MegaMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 90A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	250A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	430nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12700pF @ 25V
Power - Max	730W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264AA
Корпус	TO-264AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTK250N10 (MOSFET)

High Current MegaMOSFET

Производитель:
IXYS

IXTK250N10 datasheet
560.1 Кб