| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74LVC1G125DBV |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), однозначный логический элемент
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G125DBV |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), однозначный логический элемент
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G125DBV |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), однозначный логический элемент
|
|
|
9.92
|
|
|
|
|
74LVC1G125DBV |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), однозначный логический элемент
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G125DBV |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), однозначный логический элемент
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G125DBV |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), однозначный логический элемент
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
485
|
|
|
|
|
MF-0.25-1.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 1кОм, 1%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-1.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 1кОм, 1%
|
|
|
2.80
|
|
|
|
MF-0.25-470 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.25Вт, 470Ом, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-470 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.25Вт, 470Ом, 5%
|
|
|
2.84
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
|
4 750
|
3.70
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
НИИПП ТОМСК
|
40
|
97.00
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
РОССИЯ
|
44
|
2.46
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
158
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
157
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
57
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
135
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 200
|
32.79
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 818
|
38.16
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|