| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
2 704
|
1.23
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
3 295
|
1.25
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
40 495
|
1.77
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 272
|
3.15
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
28
|
2.37
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.15
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
305
|
4.42
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
2 328
|
2.32
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.52
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
|
|
359.60
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FAN7710N |
|
Электронный балласт для люменисцентных ламп
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
131
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
|
|
305.96
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
|
24
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
601
|
|
|
|
|
|
КР1446ПН1Б |
|
|
|
|
198.12
|
|
|
|
|
КР1446ПН1Б |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
|
С2-33Н-1-820К 5% |
|
|
|
|
2.44
|
|
Версия для печати
