| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BSM50GP120 |
|
Модуль IGBT 1600V 50A PIM
|
|
|
34 140.00
|
|
|
|
|
BSM50GP120 |
|
Модуль IGBT 1600V 50A PIM
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
|
|
6.00
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TSC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
REC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YJ
|
12 608
|
4.28
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
SUNTAN
|
940
|
1.12
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ASEMI
|
52
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
6
|
1.69
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB
|
ST MICROELECTRONICS
|
720
|
15.84
|
|
|
|
|
SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB
|
|
25 984
|
9.30
|
|
|
|
|
SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
4 846
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 924
|
36.41
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
153
|
27.90
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
|
607
|
34.42
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
625
|
|
|
|
|
ULN2003AD |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
HTC
|
3 306
|
44.91
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
|
60
|
48.00
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
МИНСК
|
1 420
|
22.32
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
37.80
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
360
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
635
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
800
|
|
|
|