Версия для печати
Технические характеристики МБГП-2-200-10 10%

Тип	Металлобумажный
Тип монтажа	Выводной
Серия	МБГП-2
Емкость	10 мкФ
Номинальное напряжение	200 В

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

КОНДЕНСАТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...		393	4 995.00
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	КОМ1
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	ЭЛЕКОН	388	5 310.90
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	RUS
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	КОМ 1
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	ИСЕТЬ
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	ЛТАВА
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	КАЗАНЬ
		2РМТ22КПН10Г1В1В		Кабельная розетка 2РМТ22 с прямым кожухом для неэкранированного кабеля, 10 контактов с ...	РОССИЯ	25	6 644.28
		AT28C64B-15PU		EEPROM parallel 8Kx8 5V 150ns	ATMEL
		AT28C64B-15PU		EEPROM parallel 8Kx8 5V 150ns			273.68
		AT28C64B-15PU		EEPROM parallel 8Kx8 5V 150ns	США
		AT28C64B-15PU		EEPROM parallel 8Kx8 5V 150ns	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AT28C64B-15PU		EEPROM parallel 8Kx8 5V 150ns	MICRO CHIP	833	475.27
		AT28C64B-15PU		EEPROM parallel 8Kx8 5V 150ns	4-7 НЕДЕЛЬ	660
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).		285	444.00
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	СИНГАПУР
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	ST1
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
		M27C322-100F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	273
		M27C4002-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=-2-7V, Vpp=-2-14V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS	4	869.40
		M27C4002-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=-2-7V, Vpp=-2-14V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M27C4002-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=-2-7V, Vpp=-2-14V, 0 to +70C).		368	462.50
		M27C4002-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=-2-7V, Vpp=-2-14V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
		M27C4002-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=-2-7V, Vpp=-2-14V, 0 to +70C).		368	462.50
		M27C4002-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=-2-7V, Vpp=-2-14V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	481
		РС7ТВ БЛОЧНАЯ ВИЛКА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"