Версия для печати
Технические характеристики К73-17-63-6800 20%

Тип	Комбинированный с фольговыми обмотками
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Серия	К73-17
Емкость	6800 мкФ
Номинальное напряжение	63 В

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

КОНДЕНСАТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM4562NA/NOPB		Аудио усилитель высокой эффективности, 2 канала, 2.5 .... 17В, 10МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM4562NA/NOPB		Аудио усилитель высокой эффективности, 2 канала, 2.5 .... 17В, 10МГц	TEXAS
		LM4562NA/NOPB		Аудио усилитель высокой эффективности, 2 канала, 2.5 .... 17В, 10МГц	TEXAS INSTRUMEN
		LM4562NA/NOPB		Аудио усилитель высокой эффективности, 2 канала, 2.5 .... 17В, 10МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM4562NA/NOPB		Аудио усилитель высокой эффективности, 2 канала, 2.5 .... 17В, 10МГц
		LM4562NA/NOPB		Аудио усилитель высокой эффективности, 2 канала, 2.5 .... 17В, 10МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	613
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS	26	394.30
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц		20	572.04
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	STMICROELECTRONICS
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	СИНГАПУР
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST1
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRO
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	1
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	4-7 НЕДЕЛЬ	196
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		2 028	12.88
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	80	9.60
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		747	12.88
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	1 209	12.60
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	1512
		КТ315Б ЗЕЛЕН.			ТОМСК
		КТ315Б ЗЕЛЕН.			КВАРЦИТ
		КТ315Б ЗЕЛЕН.
		КТ315Б ЗЕЛЕН.			НАЛЬЧИК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"