| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TSOP34836 |
|
Инфракрасный фотоприёмник 1,3мА, Uпит,В - 2,7-5,5, Тэксп,С -25 85
|
VISHAY
|
232
|
83.69
|
|
|
|
TSOP34836 |
|
Инфракрасный фотоприёмник 1,3мА, Uпит,В - 2,7-5,5, Тэксп,С -25 85
|
|
|
400.00
|
|
|
|
TSOP34836 |
|
Инфракрасный фотоприёмник 1,3мА, Uпит,В - 2,7-5,5, Тэксп,С -25 85
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TSOP34836 |
|
Инфракрасный фотоприёмник 1,3мА, Uпит,В - 2,7-5,5, Тэксп,С -25 85
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TSOP34836 |
|
Инфракрасный фотоприёмник 1,3мА, Uпит,В - 2,7-5,5, Тэксп,С -25 85
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
593
|
|
|
|
|
|
К73-11А-63-0.39 5% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.39 мкФ 63 В
|
|
|
31.36
|
|
|
|
|
К73-11А-63-0.39 5% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.39 мкФ 63 В
|
АМФИ
|
|
|
|
|
|
КС520В2 |
|
транз.
|
|
636
|
9.37
|
|
|
|
КС520В2 |
|
транз.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС520В2 |
|
транз.
|
САРАНСК
|
4 904
|
8.40
|
|
|
|
КС520В2 |
|
транз.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС520В2 |
|
транз.
|
СЗТП
|
40
|
37.48
|
|
|
|
КС520В2 |
|
транз.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ 326 АМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
650
|
15.46
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
340
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
2 036
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.31
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|