DB103
Диодные мосты 1A 200V
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
| Current - DC Forward (If) | 1A |
| Diode Type | Single Phase |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DB-1 |
| Корпус | DB-1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
16K1 F 500R |
|
|
|||||
 |
 |
1N5406 (3A 600V) |
|
Диод 600V, 3A |
|
|
||
| BCV46E6327HTSA1 | INFINEON |
|
|
|||||
 |
Д814В1 |
|
стекло | 8 944 |
1.48 >100 шт. 0.74 |
|||
|
|
Д814В1 |
|
стекло | СЗТП | 40 | 11.34 | ||
|
|
Д814В1 |
|
стекло | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
||
 |
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 2 057 | 33.30 | ||
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 1 679 | 31.87 | |
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 1 912 | 37.80 | |
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
