| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
20 000
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
5 564
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
ONS-FAIR
|
39
|
4.91
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
3 874
|
1.76
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
EVERLIGHT
|
10
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HLMP-1700 |
|
Светодиод 3 низкотоковый 2мA 2мКд 635нм
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
|
|
182.48
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
1
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|
|
|
TDA6108JF/N1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TLHG4401 |
|
Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм
|
VISHAY
|
685
|
31.37
|
|
|
|
TLHG4401 |
|
Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TLHG4401 |
|
Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
TLHG4401 |
|
Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм
|
|
|
12.80
|
|