Версия для печати
Технические характеристики DAC0800LCN

Корпус	16-DIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Мощность рассеивания (макс.)	174mW
Напряжение питания источника	Single Supply
Число преобразователей	1
Интерфейс подключения	Parallel
Бит	8
Settling Time	100ns
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

DAC0800 (Цифро-аналоговые конверторы) 8-Bit Digital-to-Analog Converters Также в этом файле: DAC0800LCN Производитель: National Semiconductor //www.national.com DAC0800LCN datasheet 347.13Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Преобразование данных (DAQ)

 » 

Цифра в аналог (DAC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DAC0800LCN/NOPB					147.28
		DAC0800LCN/NOPB			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		DAC0800LCN/NOPB			National Semiconductor
		DAC0800LCN/NOPB			TEXAS
		DAC0800LCN/NOPB			4-7 НЕДЕЛЬ
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	RECTIFIER
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...		34	98.28
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	МЕКСИКА
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	3
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	INFINEON
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	1
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	JSMICRO	1	37.44
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT		8	4 914.00
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT	NSC
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT	TEXAS INSTRUMENTS
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT	TEXAS
		LMD18200T		ИМС драйвера 3А 55В MULTIWATT	4-7 НЕДЕЛЬ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 106	15.06
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г		2 668	25.20
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ДНЕПР
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИКРОН
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИНСК
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ХЕРСОН
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ИНТЕГРАЛ
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	RUS
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	АЗОН

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"