| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
|
52 402
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
1 876
|
1.80
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
239
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
16
|
1.50
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
21 558
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YJ
|
117 496
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
30 278
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NXP
|
9 593
|
1.86
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
SEMTECH
|
4
|
2.87
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
XXW
|
1 456
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YANGJIE
|
242
|
1.16
|
|
|
|
|
CRCW120610R0JNEA |
|
|
VISHAY
|
24
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
CRCW120610R0JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW120610R0JNEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
CRCW120610R0JNEA |
|
|
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
|
4 076
|
5.01
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
MIC
|
2 363
|
14.75
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YJ
|
15 000
|
14.51
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGJIE
|
11 800
|
10.04
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
1
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
SUNTAN
|
1
|
9.12
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KOME
|
5
|
9.19
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
RUME
|
976
|
4.44
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
|
4
|
3.80
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
DIOTEC
|
25 056
|
3.46
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
6 104
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
OTHER
|
3 066
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
1 166
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YJ
|
71 089
|
4.16
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HOTTECH
|
2 616
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
CJ
|
10 400
|
6.20
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
JSMICRO
|
1 559
|
1.66
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HXY
|
6 564
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
3 805
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
2900
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
RUME
|
1 600
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
TRR
|
31 200
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
280
|
65.10
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
|
2 140
|
21.53
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
6 016
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|