Версия для печати
Технические характеристики PMBT4401

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 1V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	250MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

PMBT4401 (Импульсные биполярные транзисторы) Npn Switching Transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com PMBT4401 datasheet 50.55Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA		4 991	1.36  >100 шт.   0.68
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	NXP	71	1.48
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	КИТАЙ
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	KINGTRONICS
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	HOTTECH	231 584	1.16  >100 шт.   0.58
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	1
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	SEMTECH	1 274	1.06
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	ZITEK	22 784	1.06
		BZV55C15		Стабилитрон PV=0.5W, Vz=15V, Izt-5mA	XXW	48 036	1.06  >100 шт.   0.53
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		366	33.12
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 483	38.16
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...		406	73.60
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	КРЕМНИЙ	80	78.08
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	БРЯНСК	2	25.44
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	МИНСК
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	РОССИЯ
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	30
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	48
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	50

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"