| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz)
|
|
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz)
|
KI
|
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
404
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz)
|
SGS THOMSON
|
99
|
|
|
|
|
|
2N2907 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
3
|
12.88
|
|
|
|
|
2N2907 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N2907 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N2907 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N2907 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
ИН-12Б |
|
Индикатор тлеющего разряда ИН-12Б для работы в качестве визуального цифрового ...
|
|
15
|
462.50
|
|
|
|
|
ИН-12Б |
|
Индикатор тлеющего разряда ИН-12Б для работы в качестве визуального цифрового ...
|
РОВНО
|
|
|
|
|
|
|
ИН-12Б |
|
Индикатор тлеющего разряда ИН-12Б для работы в качестве визуального цифрового ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
|
|
34.00
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
-----
|
320
|
289.30
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
|
364
|
53.09
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
ПЛАНЕТА
|
2 217
|
42.40
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
Версия для печати
