| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1Т 308 В |
|
Транзисторы ВЧ малой мощности германиевые структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
46 008
|
36.80
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
350
|
112.52
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
35
|
576
|
55.80
|
|
|
|
|
ДМ-0.6-50 |
|
|
|
|
14.40
|
|
|
|
|
ДМ-0.6-50 |
|
|
ОАО "ГЕОРГИЕВСКИЙ ТРАНСФОРМАТОРНЫЙ ЗАВОД"
|
|
|
|
|
|
|
ДМ-0.6-50 |
|
|
"КЕЧАРК" Г.РАЗДАН
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1000 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1000 мкФ 250 В
|
|
|
6.72
|
|
|
|
|
К73-17-250-1000 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1000 мкФ 250 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1000 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1000 мкФ 250 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
С2-23-0.125-47К |
|
|
|
|
1.04
|
|
Версия для печати
