Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т836Б				3	370.00
		2Т836Б			БРЯНСК
		2Т836Б			RUS
		2Т836Б			КРЕМНИЙ	12	203.01
		2Т836Б			БРРЯНСК	1	593.60
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)			109.28
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NSC
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NS	10	159.00
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	4-7 НЕДЕЛЬ	127
		КД237Б					184.32
		КД237Б			ФОТОН
		КТ3129А9				324	22.68
		КТ3129А9			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129А9			ДАЛЕКС	1	20.66
		КТ3129А9			RUS
		КТ3129А9			ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129А9			ЭЛЕКС	800	10.15
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		336	12.68
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"