| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
2 290
|
19.53
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
2 087
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
1 588
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
SJ016M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В
|
YAGEO
|
1
|
37.52
|
|
|
|
|
SJ016M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SJ016M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
 |
SN65HVD12D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN65HVD12D |
|
|
|
|
718.96
|
|
|
|
|
SN65HVD12D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN65HVD12D |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN65HVD12D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
703
|
|
|
 |
|
STM32F072RBT6 |
|
Микроконтроллер STM32F0 на 32-битном ядре Cortex-M0
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STM32F072RBT6 |
|
Микроконтроллер STM32F0 на 32-битном ядре Cortex-M0
|
|
856
|
125.45
|
|
|
|
|
STM32F072RBT6 |
|
Микроконтроллер STM32F0 на 32-битном ядре Cortex-M0
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STM32F072RBT6 |
|
Микроконтроллер STM32F0 на 32-битном ядре Cortex-M0
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
453
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
148
|
398.82
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
|
|
1 165.20
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
211
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107VCT6 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
225
|
|
|
Версия для печати
