Версия для печати
Технические характеристики КЦ405Ж

Максимальное постоянное обратное напряжение,В	600
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	600
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А	0.6
Максимальный обратный ток,мкА	125
Рабочая частота,кГц	5
Максимальное прямое напряжение,В	4
при Iпр.,А	0.6
Рабочая температура,С	-40...85
Способ монтажа	В отверст.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ДИОДЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	4 574	3.48
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 718	4.26
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		27 200	1.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	433	1.80
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	2 400	1.21
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	2 097	1.63
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...		77	173.40
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСК
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	П/П 2
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	RUS
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	СЗТП	12	257.04
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	РОССИЯ
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КР1534ПП1					144.00
		КР1534ПП1			САРАТОВ
		КР1534ПП1			РЕФЛЕКТОР
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс		719	115.92
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СССР ЭКСПОРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТМОСКВА
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	RUS
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СЗТП	40	109.62
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	П/П 2
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	РОССИЯ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц		4 713	27.75
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	ЗОНД
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	ИЗОТОП
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	RUS
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	СЗТП	8	60.48
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"