КДС523АМ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 21 | 1 200.48 | |
| KNP 2W 0.3 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| KNP 2W 0.3 5% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| KNP 2W 0.3 5% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MF-2-0.3 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-2-0.3 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 48 | 2.68 | ||||
| АИ402Б |
|
|
||||||
| АИ402Б |
|
|
||||||
| АИ402Б | СТАРТ |
|
|
|||||
 |
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
