| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
4 694
|
9.70
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
1 165
|
3.24
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
66 640
|
2.56
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
24.20
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 389
|
9.30
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
297
|
4.55
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
52 469
|
2.29
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
8 532
|
4.83
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
3.10
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
93
|
6.05
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
28 663
|
2.28
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
10 400
|
2.03
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
45 600
|
2.19
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.57
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KEEN SIDE
|
1 176
|
2.78
|
|
|
|
|
DE1E3KX222MA5BA01250VAC/Y1 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
RCH114NP-332KB |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
RCH114NP-332KB |
|
|
|
|
37.76
|
|
|
|
 |
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
16
|
50.76
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
6 120
|
35.68
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
|
XY305A-2P 10MM |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
