| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
LM2930T-5.0 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2930T-5.0 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2930T-5.0 |
|
|
|
|
72.32
|
|
|
|
|
LM2930T-5.0 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2930T-5.0 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2930T-5.0 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
782
|
|
|
 |
|
К176ИЕ1 |
|
Шестиразрядный двоичный счётчик-дeлитель. 50 нс, потребление 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
|
2 552
|
37.48
|
|
|
|
|
К176ИЕ1 |
|
Шестиразрядный двоичный счётчик-дeлитель. 50 нс, потребление 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ХАБАРОВСК
|
433
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ИЕ1 |
|
Шестиразрядный двоичный счётчик-дeлитель. 50 нс, потребление 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ1 |
|
Шестиразрядный двоичный счётчик-дeлитель. 50 нс, потребление 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
542
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ1 |
|
Шестиразрядный двоичный счётчик-дeлитель. 50 нс, потребление 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
705
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ1 |
|
Шестиразрядный двоичный счётчик-дeлитель. 50 нс, потребление 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
РАДИОДЕТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
1
|
184.00
|
|
|
|
|
КТ3102Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ЭЛЕКС
|
208
|
340.96
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 877
|
27.75
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 012
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|
|
|
|
У-123 ФОТОДИОД |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
У-123 ФОТОДИОД |
|
|
СТАРТ
|
8 784
|
2.12
|
|
|
|
|
У-123 ФОТОДИОД |
|
|
5100
|
|
|
|
|
|
|
У-123 ФОТОДИОД |
|
|
5980
|
|
|
|
Версия для печати
