|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
194
|
4.20
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
2 736
|
4.00
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
1 000
|
12.24
|
|
|
|
2Т316Б |
|
|
|
252
|
262.50
|
|
|
|
2Т316Б |
|
|
СВЕТЛАНА
|
2 780
|
56.00
|
|
|
|
2Т316Б |
|
|
СВЕТЛАНА-ПОЛУПРОВОДНИКИ
|
|
|
|
|
|
2Т316Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
|
432
|
2.62
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
3 636
|
7.20
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
279
|
16.83
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
ЭСВ-2.5-12.6-1 |
|
Электромеханический счетчик машинного времени 12.6В, 2500ч
|
|
112
|
87.50
|
|