HER308 (3A 1000В)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
KA-3528SURC	SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310	KB
KA-3528SURC	SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310	KINGBRIGHT	29 706	14.96
KA-3528SURC	SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310			13.60
KA-3528SURC	SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310	КИТАЙ
KA-3528SURC	SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310	KGB	9 349	16.31
M52777SP-B		ST MICROELECTRONICS
M52777SP-B		RENESAS	12	405.99
M52777SP-B		MITSUBISHI	8	1 217.16
M52777SP-B			1	1 081.08
M52777SP-B		MIT
M52777SP-B		ФИЛИППИНЫ
M52777SP-B		1
M52777SP-B		4-7 НЕДЕЛЬ	752
NP0-27PF 5% 100V	Керамический конденсатор 27 пФ 100 В	KEMET
NP0-27PF 5% 100V	Керамический конденсатор 27 пФ 100 В			1.76
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц			12.68
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 047	31.73
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ