BSS84DW
Dual p-channel enhancement mode field effect transistor
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
BSS84DW (PANJIT.) |
296 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики BSS84DW
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 45pF @ 25V |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
BSS84DW (MOSFET)
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
Diodes Incorporated
|
