Версия для печати
Технические характеристики BF370

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 1V
Power - Max	500mW
Frequency - Transition	500MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

BF370 (Среднечастотные биполярные транзисторы) Npn Medium Frequency Transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BF370 datasheet 45.68Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIR
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	TELEFUNKEN
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	DC COMPONENTS
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)		27 735	2.90
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	PANJIT
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS	5 916	2.10
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIRCHILD
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIRCHILD
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP	2 364
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	OTHER
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	PANJIT	12 572
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS	2 669
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	Fairchild Semiconductor
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	Diodes Inc
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV21		Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)	БРЕСТ	120 343	3.04
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	7.56
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	7 460	2.15
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	3 585	4.50
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	578 568	1.56  >100 шт.   0.78
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	156 902	1.54  >100 шт.   0.77
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	271 442	1.09
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	168 554	1.50  >500 шт.   0.50
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	78 244	1.48
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PLINGSEMIC	180 334	1.34  >100 шт.   0.67
		TDA7269A			ST MICROELECTRONICS	2	264.12
		TDA7269A				1	350.28
		TDA7269A			ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7269A			STMicroelectronics
		TDA7269A			ST1
		TDA7269A			ST MICROELECTRO
		TDA7269A			1
		МЛТ-1-10 ОМ-5%		Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий, металлодиэлектрический ...

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"